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　　（来源：半导体芯情）

　　最近最多的问题是，存储行情是否可以持续，未来预期和需求还在增加吗？至少从今天韩国存储原厂的合约来看，未来存储前景可期。

　　2026年7月25日，英伟达宣布，SK集团与英伟达在AI工厂及下一代内存领域扩大战略合作。SK集团与英伟达今日宣布计划建立一项超过5000亿美元的综合合作伙伴关系，以建立满足全球计算需求激增的人工智能基础设施。

　　据了解，这次双方签署了意向书，正式化协议，涵盖从人工智能工厂建设到人工智能内存供应。SK电信将建设2吉瓦的NVIDIA Vera Rubin DSX AI工厂，以满足全球计算需求。英伟达与SK海力士建立长期合作关系，共同保障并共同开发包括HBM在内的下一代AI内存。两家公司将共同开发和优化下一代AI内存解决方案，包括HBM，以满足从大型语言模型训练到代理AI和物理AI等不断变化的基础设施需求。

　　刚刚，韩国的另外一家存储芯片原厂三星电子宣布与博通公司签署谅解备忘录，涵盖至2030年价值高达2000亿美元的存储芯片、代工服务和先进封装业务。三星电子称，将与博通公司合作，基于三星的HBM技术开发博通公司的下一代人工智能加速器。三星电子还表示，提供亚2纳米代工工艺和先进封装解决方案。分析师还预计，随着AI相关订单增加，三星晶圆代工业务产能利用率将持续改善，而HBM4需求增强也将推动公司下半年利润继续增长。

　　这次存储芯片的超级周期和以往大不相同，人工智能带来的HBM需求量超过以往任何时候未来增量将是巨大的。分析师表示，AI算力需求推动HBM发展，带动存储测试机市场量价齐升，HBM堆叠架构对测试机提出更高要求，需求量约为传统DRAM的5-6倍。

　　HBM4是未来三大原厂提升业绩和影响力的最关键产品之一，它的良率直接改变市场格局。

　　业内人士透露，三星电子、SK海力士、美光三大存储巨头均在推行HBM4良率提升战略。HBM4是第六代高带宽内存产品，将搭载于英伟达下半年推出的AI加速芯片Vera Rubin等产品中。

　　据了解，三家企业里，三星电子最先实现HBM4量产，随着产线转入大规模生产阶段，良率提升速度十分可观。业内部分观点认为，三星HBM4良率已提升至70%左右。依托数月量产积累的经验，其良率管控能力大幅改善。三星HBM4良率提升的核心依托自家1C工艺DRAM打底，今年年初该款基础DRAM生产良率就已突破稳定量产门槛80%，为HBM4良率走高提供支撑。

　　据悉，SK海力士暂未对外披露HBM4具体良率数值，但行业普遍判断其良率也已步入稳定区间。为优化HBM4工艺、扩充产能，SK海力士计划引进全新生产设备，目前正与多家HBM设备供应商洽谈下半年设备采购订单。半导体设备行业高层人士透露：“SK海力士正筹备追加设备采购以扩充HBM4产能，此举主要为改善良率、提升产品供货量。”SK海力士的战略目标是，在HBM4产品上延续自身在HBM市场过半的龙头份额优势。

　　今年上半年，韩国两个存储原厂业绩炸裂，具体来看，二季度韩国出口环比增长1.4%，主要由半导体出货增长带动；进口增长0.8%，受汽车、机械及设备增长推动。其中，净出口对第二季度GDP增长贡献了0.3个百分点。

　　分析认为，人工智能（AI）产业快速发展带来的半导体需求，仍是支撑韩国经济增长的重要动力。近年来，随着全球AI服务器建设加速，存储芯片需求持续增加，韩国半导体出口步入“超级周期”，不仅增势强劲，同时也成为推动出口和经济复苏的重要支柱。今年下半年，三星海力士的高端客户需求仍然很大，未来的HBM市场竞争仍然火热，三大厂PK良率成为存储的华山论剑项目，各显神通。